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Référence fabricant | RL110-120M |
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Numéro de pièce future | FT-RL110-120M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL110 |
RL110-120M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 12µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4.9A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 23 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 11MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.394" (10.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL110-120M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL110-120M-FT |
PM74S-181M
Bourns Inc.
PM74S-220N
Bourns Inc.
PM74S-221M
Bourns Inc.
PM74S-270N
Bourns Inc.
PM74S-271M
Bourns Inc.
PM74S-330N
Bourns Inc.
PM74S-390N
Bourns Inc.
PM74S-470N
Bourns Inc.
PM74S-560N
Bourns Inc.
PM74S-680N
Bourns Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel