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Référence fabricant | RL105-N-2-4-AP |
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Numéro de pièce future | FT-RL105-N-2-4-AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RL105-N-2-4-AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial, Radial Bend |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL105-N-2-4-AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL105-N-2-4-AP-FT |
RH 1BV1
Sanken
RH 1C
Sanken
RH 1CV
Sanken
RH 1CV1
Sanken
RH 1Z
Sanken
RH 1ZV
Sanken
RH 1ZV1
Sanken
RJ 43
Sanken
RJS6004TDPN-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJS6004TDPN-EJ#YJ1
Renesas Electronics America
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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