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Référence fabricant | RL104-N-2-1-BP |
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Numéro de pièce future | FT-RL104-N-2-1-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RL104-N-2-1-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial, Radial Bend |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL104-N-2-1-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL104-N-2-1-BP-FT |
RGP5020-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5020-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5020HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5020HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5100-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5100HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP5100HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RH 1A
Sanken
RH 1AV
Sanken
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel