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Référence fabricant | RL102-N-0-2-BP |
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Numéro de pièce future | FT-RL102-N-0-2-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RL102-N-0-2-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial, Radial Bend |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL102-N-0-2-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL102-N-0-2-BP-FT |
RGP10D-5020M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5303M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5310E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5310M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10DE-031E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10DE-052E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10G-6038M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10J-057M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10J-5025M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10J-7008M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation