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Renesas Electronics America RJK2006DPE-00#J3

Name: RJK2006DPE-00#J3
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2006DPE-00#J3
Availability: InStock
Rating: 5.0 (378 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK2006DPE-00#J3

quantité disponible: 48530 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK2006DPE-00#J3.pdf

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RJK2006DPE-00#J3 Caractéristiques

Référence fabricant	RJK2006DPE-00#J3
Numéro de pièce future	FT-RJK2006DPE-00#J3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK2006DPE-00#J3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	40A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	4-LDPAK
Paquet / caisse	SC-83
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2006DPE-00#J3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK2006DPE-00#J3-FT

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