maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RJK1055DPB-00#J5
Référence fabricant | RJK1055DPB-00#J5 |
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Numéro de pièce future | FT-RJK1055DPB-00#J5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RJK1055DPB-00#J5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 60W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK1055DPB-00#J5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RJK1055DPB-00#J5-FT |
RJK4518DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5018DPK-00#T0
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RJK5020DPK-00#T0
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