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Renesas Electronics America RJK03C1DPB-00#J5

Name: RJK03C1DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK03C1DPB-00#J5
Availability: InStock
Rating: 4.5 (22 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK03C1DPB-00#J5

quantité disponible: 14530 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK03C1DPB-00#J5.pdf

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RJK03C1DPB-00#J5 Caractéristiques

Référence fabricant	RJK03C1DPB-00#J5
Numéro de pièce future	FT-RJK03C1DPB-00#J5
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK03C1DPB-00#J5 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 10V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)	65W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	LFPAK
Paquet / caisse	SC-100, SOT-669
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK03C1DPB-00#J5 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK03C1DPB-00#J5-FT

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