maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RJK0330DPB-01#J0
Référence fabricant | RJK0330DPB-01#J0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RJK0330DPB-01#J0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RJK0330DPB-01#J0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 22.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 55W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0330DPB-01#J0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RJK0330DPB-01#J0-FT |
RS1E320GNTB
Rohm Semiconductor
2SK1835-E
Renesas Electronics America
2SK1317-E
Renesas Electronics America
2SJ162-E
Renesas Electronics America
2SK1058-E
Renesas Electronics America
2SK1339-E
Renesas Electronics America
2SK1340-E
Renesas Electronics America
2SK1341-E
Renesas Electronics America
2SK1342-E
Renesas Electronics America
2SK1518-E
Renesas Electronics America
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel