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Référence fabricant | RHRP8120-F102 |
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Numéro de pièce future | FT-RHRP8120-F102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RHRP8120-F102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.2V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 70ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RHRP8120-F102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RHRP8120-F102-FT |
CD214A-B120R
Bourns Inc.
CD214A-B140LR
Bourns Inc.
CD214A-B140R
Bourns Inc.
CD214A-B220LR
Bourns Inc.
CD214A-B220R
Bourns Inc.
CD214A-B240LR
Bourns Inc.
CD214A-B240R
Bourns Inc.
CD214A-B260R
Bourns Inc.
CD214A-B320LR
Bourns Inc.
CD214A-B320R
Bourns Inc.
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel