maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RHRP30120-F102
Référence fabricant | RHRP30120-F102 |
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Numéro de pièce future | FT-RHRP30120-F102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RHRP30120-F102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.2V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 85ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RHRP30120-F102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RHRP30120-F102-FT |
CD214A-B240LR
Bourns Inc.
CD214A-B240R
Bourns Inc.
CD214A-B260R
Bourns Inc.
CD214A-B320LR
Bourns Inc.
CD214A-B320R
Bourns Inc.
CD214A-B340LR
Bourns Inc.
CD214A-B360R
Bourns Inc.
CD2010-B160
Bourns Inc.
CD2010-B140
Bourns Inc.
CD1607-B120LLF
Bourns Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel