maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / RGW60TS65GC11
Référence fabricant | RGW60TS65GC11 |
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Numéro de pièce future | FT-RGW60TS65GC11 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RGW60TS65GC11 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 178W |
Énergie de commutation | 480µJ (on), 490µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 84nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 37ns/114ns |
Condition de test | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247N |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGW60TS65GC11 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGW60TS65GC11-FT |
SGF23N60UFDM1TU
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A42MX09-PQ100A
Microsemi Corporation
EPF6016AQC208-3N
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