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Rohm Semiconductor RGT8NS65DGTL

Numéro de pièce MFG
RGT8NS65DGTL
quantité disponible
87920 Pièces
Prix de référence
USD 0.44856
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RGT8NS65DGTL.pdf
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RGT8NS65DGTL Caractéristiques

Référence fabricant RGT8NS65DGTL
Numéro de pièce future FT-RGT8NS65DGTL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RGT8NS65DGTL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 8A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Puissance - Max 65W
Énergie de commutation -
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 13.5nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/69ns
Condition de test 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 40ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur LPDS (TO-263S)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RGT8NS65DGTL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RGT8NS65DGTL-FT

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