maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / RGT8NS65DGTL
Référence fabricant | RGT8NS65DGTL |
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Numéro de pièce future | FT-RGT8NS65DGTL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RGT8NS65DGTL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 12A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Puissance - Max | 65W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 13.5nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 17ns/69ns |
Condition de test | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 40ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | LPDS (TO-263S) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGT8NS65DGTL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGT8NS65DGTL-FT |
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