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Référence fabricant | RGP30BHE3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-RGP30BHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
RGP30BHE3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP30BHE3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGP30BHE3/54-FT |
UG4C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4C-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4C-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4C-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4D-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4D-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5400-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5401/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5402-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel