maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RGP10ME-M3/54
Référence fabricant | RGP10ME-M3/54 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RGP10ME-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGP10ME-M3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10ME-M3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGP10ME-M3/54-FT |
RGP10B-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation