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Référence fabricant | RGL41MHE3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-RGL41MHE3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
RGL41MHE3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGL41MHE3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGL41MHE3/96-FT |
GL41G/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41M/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41Y/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6478-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6478HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6478HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel