maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RGF1M-7000HE3/5CA
Référence fabricant | RGF1M-7000HE3/5CA |
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Numéro de pièce future | FT-RGF1M-7000HE3/5CA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGF1M-7000HE3/5CA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214BA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214BA (GF1) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGF1M-7000HE3/5CA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGF1M-7000HE3/5CA-FT |
PMEG3010EH,115
Nexperia USA Inc.
BAS21H,115
Nexperia USA Inc.
PMEG1030EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2015EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEH,115
Nexperia USA Inc.
BAT46GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS16GWJ
Nexperia USA Inc.
BAT54GWJ
Nexperia USA Inc.
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel