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Référence fabricant | RFN1L6STE25 |
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Numéro de pièce future | FT-RFN1L6STE25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RFN1L6STE25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | PMDS |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFN1L6STE25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RFN1L6STE25-FT |
RB162M-30TR
Rohm Semiconductor
RB162M-40TR
Rohm Semiconductor
RB162M-60TR
Rohm Semiconductor
RB168M-40TR
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RB168M-60TR
Rohm Semiconductor
RB168M150DDTR
Rohm Semiconductor
RB168M150TR
Rohm Semiconductor
RB168MM-60TR
Rohm Semiconductor
RB168MM100TR
Rohm Semiconductor
RBR1MM30ATR
Rohm Semiconductor
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel