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ON Semiconductor RFD3055LESM9A

Numéro de pièce MFG
RFD3055LESM9A
quantité disponible
69420 Pièces
Prix de référence
USD 0.218928
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RFD3055LESM9A.pdf
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RFD3055LESM9A Caractéristiques

Référence fabricant RFD3055LESM9A
Numéro de pièce future FT-RFD3055LESM9A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RFD3055LESM9A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252AA
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD3055LESM9A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RFD3055LESM9A-FT

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