maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RFD16N05LSM
Référence fabricant | RFD16N05LSM |
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Numéro de pièce future | FT-RFD16N05LSM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RFD16N05LSM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 16A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 60W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252AA |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFD16N05LSM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RFD16N05LSM-FT |
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