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ON Semiconductor RFD10P03LSM

Numéro de pièce MFG
RFD10P03LSM
quantité disponible
60100 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RFD10P03LSM.pdf
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RFD10P03LSM Caractéristiques

Référence fabricant RFD10P03LSM
Numéro de pièce future FT-RFD10P03LSM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RFD10P03LSM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252-3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD10P03LSM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RFD10P03LSM-FT

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