maison / des produits / Condensateurs / Aluminium - Condensateurs polymères / RF80G331MDN1JT
Référence fabricant | RF80G331MDN1JT |
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Numéro de pièce future | FT-RF80G331MDN1JT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FPCAP, RF8 |
RF80G331MDN1JT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Polymer |
Capacitance | 330µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 4V |
ESR (résistance série équivalente) | 8 mOhm |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 400mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 4A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.079" (2.00mm) |
Taille / Dimension | 0.197" Dia (5.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.354" (9.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF80G331MDN1JT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RF80G331MDN1JT-FT |
RHS1D391MCN1GS
Nichicon
RUC0D271MLG
Nichicon
RUC0D331MLG
Nichicon
RVA0E221MNG
Nichicon
RVA0G151MNG
Nichicon
RVA0J101MNG
Nichicon
RVA1C270MNG
Nichicon
RVA1C330MNG
Nichicon
RVA1C470MNG
Nichicon
RVA1E150MNG
Nichicon
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16U484C6
Intel
EP20K200CF484I8
Intel
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
5SGXMB6R2F43C2N
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5SGXEA7H3F35I3N
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AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFXP15C-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel