Référence fabricant | RF 1B |
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Numéro de pièce future | FT-RF 1B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RF 1B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 600mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF 1B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RF 1B-FT |
R9G20409CSOO
Powerex Inc.
R9G20411ASOO
Powerex Inc.
R9G20411CSOO
Powerex Inc.
R9G20412CSOO
Powerex Inc.
R9G20415ASOO
Powerex Inc.
R9G20609ASOO
Powerex Inc.
R9G20609CSOO
Powerex Inc.
R9G20611ASOO
Powerex Inc.
R9G20611CSOO
Powerex Inc.
R9G20612CSOO
Powerex Inc.
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel