maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RF101LAM2STR
Référence fabricant | RF101LAM2STR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RF101LAM2STR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RF101LAM2STR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 870mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | PMDTM |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF101LAM2STR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RF101LAM2STR-FT |
RF01VM2SFHTE-17
Rohm Semiconductor
RBE05VM20ATE-17
Rohm Semiconductor
1SS355VMFHTE-17
Rohm Semiconductor
1SS380VMFHTE-17
Rohm Semiconductor
RB510VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB520VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB521VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB531VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB540VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB550VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel