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Référence fabricant | RF101L2SDDTE25 |
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Numéro de pièce future | FT-RF101L2SDDTE25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RF101L2SDDTE25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 870mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | PMDS |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF101L2SDDTE25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RF101L2SDDTE25-FT |
RB160M-40TR
Rohm Semiconductor
RB160M-60TR
Rohm Semiconductor
RB160M-90TR
Rohm Semiconductor
RB160MM-30TR
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RB160MM-40TR
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RB160MM-50TR
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RB162M-30TR
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RB162M-40TR
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RB162M-60TR
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RB168M-40TR
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LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
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APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
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5SGXEA9K2H40C2LN
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5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
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EP1S60F1020C6N
Intel