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Référence fabricant | RE1C002ZPTL |
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Numéro de pièce future | FT-RE1C002ZPTL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RE1C002ZPTL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | EMT3F (SOT-416FL) |
Paquet / caisse | SC-89, SOT-490 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RE1C002ZPTL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RE1C002ZPTL-FT |
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