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Rohm Semiconductor RDN100N20

Numéro de pièce MFG
RDN100N20
quantité disponible
22900 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RDN100N20.pdf
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RDN100N20 Caractéristiques

Référence fabricant RDN100N20
Numéro de pièce future FT-RDN100N20
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RDN100N20 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220FN
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN100N20 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RDN100N20-FT

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