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Rohm Semiconductor RDN080N25FU6

Name: RDN080N25FU6
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RDN080N25FU6
Availability: InStock
Rating: 4.9 (579 reviews)

Numéro de pièce MFG: RDN080N25FU6

quantité disponible: 90050 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RDN080N25FU6.pdf

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RDN080N25FU6 Caractéristiques

Référence fabricant	RDN080N25FU6
Numéro de pièce future	FT-RDN080N25FU6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RDN080N25FU6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	543pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220FN
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN080N25FU6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RDN080N25FU6-FT

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