maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / RDE5C2A470J0S1H03A
Référence fabricant | RDE5C2A470J0S1H03A |
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Numéro de pièce future | FT-RDE5C2A470J0S1H03A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RDE |
RDE5C2A470J0S1H03A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 47pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDE5C2A470J0S1H03A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RDE5C2A470J0S1H03A-FT |
RHS7J2H471J2K1H01B
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RHS7J2H472J2K1H01B
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AGLN015V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel