maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / RDE5C2A470J0P1H03B
Référence fabricant | RDE5C2A470J0P1H03B |
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Numéro de pièce future | FT-RDE5C2A470J0P1H03B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RDE |
RDE5C2A470J0P1H03B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 47pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDE5C2A470J0P1H03B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RDE5C2A470J0P1H03B-FT |
RHE5G1H102J1K1A03B
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EP3CLS70F484C8N
Intel
5AGZME7K2F40C3N
Intel
5SGXMBBR2H43C2LN
Intel
5SGXMA4K2F35C1N
Intel
XC4006E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation