maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / RDE5C2A102J0P1H03B
Référence fabricant | RDE5C2A102J0P1H03B |
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Numéro de pièce future | FT-RDE5C2A102J0P1H03B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RDE |
RDE5C2A102J0P1H03B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDE5C2A102J0P1H03B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RDE5C2A102J0P1H03B-FT |
RHSN12A683K1K1H01B
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XC3SD3400A-4FGG676I
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A3P125-PQ208
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
10AX115N4F40E3SG
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel