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Référence fabricant | RCR108DNP-1R5N |
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Numéro de pièce future | FT-RCR108DNP-1R5N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RCR-108D |
RCR108DNP-1R5N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 7.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 8.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 48MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.335" (8.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCR108DNP-1R5N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RCR108DNP-1R5N-FT |
PM40-4R7K
Bourns Inc.
PM40-560K
Bourns Inc.
PM40-561K
Bourns Inc.
PM40-5R6K
Bourns Inc.
PM40-680K
Bourns Inc.
PM40-681K
Bourns Inc.
PM40-6R8K
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PM40-820K
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PM40-8R2K
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PM40-R10M
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel