maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / RB886YT2R
Référence fabricant | RB886YT2R |
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Numéro de pièce future | FT-RB886YT2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB886YT2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 15V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 350mV @ 1mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 120µA @ 5V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75-4, SOT-543 |
Package d'appareils du fournisseur | EMD4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB886YT2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB886YT2R-FT |
81CNQ035S2
SMC Diode Solutions
81CNQ040
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XC7A75T-1FTG256C
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XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel