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Référence fabricant | RB751S-40LP-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RB751S-40LP-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB751S-40LP-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 370mV @ 1mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-882 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB751S-40LP-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB751S-40LP-TP-FT |
EGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1JHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1KHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1M/1754
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D/1754
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1A-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-1HE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel