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Référence fabricant | RB751S-40-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RB751S-40-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB751S-40-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 370mV @ 1mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB751S-40-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB751S-40-TP-FT |
EGF1A-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-1HE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-1HE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1C-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1C-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel