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Référence fabricant | RB751S-40-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RB751S-40-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB751S-40-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 370mV @ 1mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB751S-40-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB751S-40-TP-FT |
EGF1A-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-1HE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-1HE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1C-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1C-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel