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Référence fabricant | RB521S-30LP-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RB521S-30LP-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB521S-30LP-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 350mV @ 10mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-882 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB521S-30LP-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB521S-30LP-TP-FT |
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1JHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1KHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1M/1754
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D/1754
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1A-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation