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Référence fabricant | RB520S-30EP-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RB520S-30EP-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB520S-30EP-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201-B |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB520S-30EP-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB520S-30EP-TP-FT |
R2500F-AP
Micro Commercial Co
R2500F-TP
Micro Commercial Co
R3000-AP
Micro Commercial Co
R3000-TP
Micro Commercial Co
R3000F-AP
Micro Commercial Co
R3000F-TP
Micro Commercial Co
R4000-AP
Micro Commercial Co
R4000-TP
Micro Commercial Co
R4000F-AP
Micro Commercial Co
R4000F-TP
Micro Commercial Co
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
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XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
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EP1S40F1020I6N
Intel