maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / RB215T-90
Référence fabricant | RB215T-90 |
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Numéro de pièce future | FT-RB215T-90 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RB215T-90 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 90V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB215T-90 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB215T-90-FT |
403CMQ080
SMC Diode Solutions
409CMQ135
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FMEN-210B
Sanken
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
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5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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