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Référence fabricant | RB068LAM100TFTR |
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Numéro de pièce future | FT-RB068LAM100TFTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RB068LAM100TFTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | PMDTM |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB068LAM100TFTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RB068LAM100TFTR-FT |
RF305BM6SFHTL
Rohm Semiconductor
RF501BM2SFHTL
Rohm Semiconductor
RF505BM6SFHTL
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RFN5BM3SFHTL
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RFN5BM6SFHTL
Rohm Semiconductor
XC3S50AN-4TQ144I
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LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
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EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel