maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RA201836XX
Référence fabricant | RA201836XX |
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Numéro de pièce future | FT-RA201836XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RA201836XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3600A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 3000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 22µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200mA @ 1800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AD |
Package d'appareils du fournisseur | Pow-R-Disc |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201836XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RA201836XX-FT |
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel