Référence fabricant | RA 13V |
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Numéro de pièce future | FT-RA 13V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RA 13V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 360mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA 13V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RA 13V-FT |
R7013603XXUA
Powerex Inc.
R7013803XXUA
Powerex Inc.
R7014003XXUA
Powerex Inc.
R7014203XXUA
Powerex Inc.
R7014403XXUA
Powerex Inc.
R702
Microsemi Corporation
R704
Microsemi Corporation
R706
Microsemi Corporation
R711X
Microsemi Corporation
R712
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel