maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G23512BSOO
Référence fabricant | R9G23512BSOO |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R9G23512BSOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G23512BSOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 3500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 75mA @ 3500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G23512BSOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G23512BSOO-FT |
R7004203XXUA
Powerex Inc.
R7004403XXUA
Powerex Inc.
R7012603XXUA
Powerex Inc.
R7012803XXUA
Powerex Inc.
R7013003XXUA
Powerex Inc.
R7013203XXUA
Powerex Inc.
R7013403XXUA
Powerex Inc.
R7013603XXUA
Powerex Inc.
R7013803XXUA
Powerex Inc.
R7014003XXUA
Powerex Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel