maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G22612CSOO
Référence fabricant | R9G22612CSOO |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R9G22612CSOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G22612CSOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 75mA @ 2600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G22612CSOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G22612CSOO-FT |
R7002603XXUA
Powerex Inc.
R7002803XXUA
Powerex Inc.
R7003003XXUA
Powerex Inc.
R7003203XXUA
Powerex Inc.
R7003403XXUA
Powerex Inc.
R7003603XXUA
Powerex Inc.
R7003803XXUA
Powerex Inc.
R7004003XXUA
Powerex Inc.
R7004203XXUA
Powerex Inc.
R7004403XXUA
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel