maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G22012CSOO
Référence fabricant | R9G22012CSOO |
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Numéro de pièce future | FT-R9G22012CSOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G22012CSOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 75mA @ 2000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G22012CSOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G22012CSOO-FT |
R6110625XXYZ
Powerex Inc.
R6110630XXYZ
Powerex Inc.
R6110825XXYZ
Powerex Inc.
R6110830XXYZ
Powerex Inc.
R6111025XXYZ
Powerex Inc.
R6111030XXYZ
Powerex Inc.
R7002603XXUA
Powerex Inc.
R7002803XXUA
Powerex Inc.
R7003003XXUA
Powerex Inc.
R7003203XXUA
Powerex Inc.
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel