maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G22012CSOO
Référence fabricant | R9G22012CSOO |
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Numéro de pièce future | FT-R9G22012CSOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G22012CSOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 75mA @ 2000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G22012CSOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G22012CSOO-FT |
R6110625XXYZ
Powerex Inc.
R6110630XXYZ
Powerex Inc.
R6110825XXYZ
Powerex Inc.
R6110830XXYZ
Powerex Inc.
R6111025XXYZ
Powerex Inc.
R6111030XXYZ
Powerex Inc.
R7002603XXUA
Powerex Inc.
R7002803XXUA
Powerex Inc.
R7003003XXUA
Powerex Inc.
R7003203XXUA
Powerex Inc.
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel