maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R7S02212XX
Référence fabricant | R7S02212XX |
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Numéro de pièce future | FT-R7S02212XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R7S02212XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 2200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, R62 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7S02212XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R7S02212XX-FT |
R7200206XXOO
Powerex Inc.
R7200209XXOO
Powerex Inc.
R7200212XXOO
Powerex Inc.
R7200406XXOO
Powerex Inc.
R7200409XXOO
Powerex Inc.
R7200412XXOO
Powerex Inc.
R7200606XXOO
Powerex Inc.
R7200609XXOO
Powerex Inc.
R7200612XXOO
Powerex Inc.
R7200806XXOO
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel