maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R7S02212XX
Référence fabricant | R7S02212XX |
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Numéro de pièce future | FT-R7S02212XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R7S02212XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 2200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, R62 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7S02212XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R7S02212XX-FT |
R7200206XXOO
Powerex Inc.
R7200209XXOO
Powerex Inc.
R7200212XXOO
Powerex Inc.
R7200406XXOO
Powerex Inc.
R7200409XXOO
Powerex Inc.
R7200412XXOO
Powerex Inc.
R7200606XXOO
Powerex Inc.
R7200609XXOO
Powerex Inc.
R7200612XXOO
Powerex Inc.
R7200806XXOO
Powerex Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel