maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R7221208ESOO
Référence fabricant | R7221208ESOO |
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Numéro de pièce future | FT-R7221208ESOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R7221208ESOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.65V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7221208ESOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R7221208ESOO-FT |
R7000605XXUA
Powerex Inc.
R7000803XXUA
Powerex Inc.
R7000804XXUA
Powerex Inc.
R7000805XXUA
Powerex Inc.
R7001003XXUA
Powerex Inc.
R7001004XXUA
Powerex Inc.
R7001005XXUA
Powerex Inc.
R7001203XXUA
Powerex Inc.
R7001204XXUA
Powerex Inc.
R7001205XXUA
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel