maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R6201250XXOO
Référence fabricant | R6201250XXOO |
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Numéro de pièce future | FT-R6201250XXOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6201250XXOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 11µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, R62 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6201250XXOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6201250XXOO-FT |
R6000425XXYA
Powerex Inc.
R6000430XXYA
Powerex Inc.
R6000625XXYA
Powerex Inc.
R6000630XXYA
Powerex Inc.
R6000825XXYA
Powerex Inc.
R6000830XXYA
Powerex Inc.
R6001025XXYA
Powerex Inc.
R6001030XXYA
Powerex Inc.
R6001225XXYA
Powerex Inc.
R6001230XXYA
Powerex Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
Intel