maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R6201050XXOO
Référence fabricant | R6201050XXOO |
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Numéro de pièce future | FT-R6201050XXOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6201050XXOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 11µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, R62 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6201050XXOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6201050XXOO-FT |
PS415014
Powerex Inc.
R6000225XXYA
Powerex Inc.
R6000230XXYA
Powerex Inc.
R6000425XXYA
Powerex Inc.
R6000430XXYA
Powerex Inc.
R6000625XXYA
Powerex Inc.
R6000630XXYA
Powerex Inc.
R6000825XXYA
Powerex Inc.
R6000830XXYA
Powerex Inc.
R6001025XXYA
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel