maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R6201040XXOO
Référence fabricant | R6201040XXOO |
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Numéro de pièce future | FT-R6201040XXOO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6201040XXOO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 400A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 9µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, R62 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6201040XXOO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6201040XXOO-FT |
PS414514
Powerex Inc.
PS415014
Powerex Inc.
R6000225XXYA
Powerex Inc.
R6000230XXYA
Powerex Inc.
R6000425XXYA
Powerex Inc.
R6000430XXYA
Powerex Inc.
R6000625XXYA
Powerex Inc.
R6000630XXYA
Powerex Inc.
R6000825XXYA
Powerex Inc.
R6000830XXYA
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel