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Rohm Semiconductor R6035ENZC8

Numéro de pièce MFG
R6035ENZC8
quantité disponible
60170 Pièces
Prix de référence
USD 4.504
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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R6035ENZC8 Caractéristiques

Référence fabricant R6035ENZC8
Numéro de pièce future FT-R6035ENZC8
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
R6035ENZC8 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 120W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-3PF
Paquet / caisse TO-3P-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6035ENZC8 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange R6035ENZC8-FT

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