maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R6030635ESYA
Référence fabricant | R6030635ESYA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R6030635ESYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6030635ESYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -45°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030635ESYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6030635ESYA-FT |
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
JANTX1N5618US
Microsemi Corporation
JANTX1N5619US
Microsemi Corporation
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel